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場(chǎng)效應(yīng)管是怎么導(dǎo)通的,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止的條件介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-10-12 17:11:53
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場(chǎng)效應(yīng)管是怎么導(dǎo)通的,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止的條件介紹
場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的
在使用場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。
場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)元件,同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓UGS決定其工作狀態(tài)。N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性:Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。
P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性:Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
場(chǎng)效應(yīng)管怎么導(dǎo)通  截止條件
場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻越小越好嗎
在一般情況下,場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的導(dǎo)通電阻越小越好,因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,F(xiàn)ET可以提供更低的電阻,允許更大的電流通過。
對(duì)于MOSFET來說,在導(dǎo)通狀態(tài)下,較小的導(dǎo)通電阻意味著更高的導(dǎo)電性能,能夠?qū)崿F(xiàn)更好的開關(guān)速度和更小的功耗。而對(duì)于JFET來說,較小的導(dǎo)通電阻也意味著更大的電流能夠通過,提供更好的放大和開關(guān)特性。
然而,在某些特定的應(yīng)用場(chǎng)景下,也可能需要較大的導(dǎo)通電阻,比如在放大器設(shè)計(jì)中,一些低噪聲放大器需要較大的輸入電阻,這時(shí)候就需要選擇適合的FET器件,使其有較大的輸入電阻。
場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件
場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種三端口的半導(dǎo)體器件,常見的有金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field-Effect Transistor,JFET)。FET的導(dǎo)通和截止取決于柵極控制區(qū)域的電場(chǎng)對(duì)通道的控制。
1. MOSFET 導(dǎo)通和截止的條件:
- 導(dǎo)通: MOSFET 的導(dǎo)通是通過調(diào)控柵極電場(chǎng)來控制,當(dāng)柵極與源極之間施加一定電壓,形成足夠的電場(chǎng),使通道區(qū)域形成導(dǎo)電路徑,從而電流得以流通。
- 截止: MOSFET 的截止是指柵極控制區(qū)域不再形成足夠電場(chǎng),無法形成導(dǎo)電路徑,通道區(qū)域無法導(dǎo)通,此時(shí)器件處于截止?fàn)顟B(tài)。
2. JFET 導(dǎo)通和截止的條件:
- 導(dǎo)通: JFET 的導(dǎo)通是由柵極 - 源極間的電壓(或電流)控制的。當(dāng)柵極的電壓為零或負(fù)電壓,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的通道會(huì)形成導(dǎo)電通路,電流得以流通。
- 截止: JFET 的截止是指柵極控制區(qū)域不存在足夠的電場(chǎng),通道無法導(dǎo)通,電流無法流通,器件處于截止?fàn)顟B(tài)。
無論是MOSFET還是JFET,在導(dǎo)通狀態(tài)下,柵極產(chǎn)生足夠的電場(chǎng)使通道區(qū)域形成導(dǎo)電路徑,而在截止?fàn)顟B(tài)下,電場(chǎng)不足以形成導(dǎo)電路徑,導(dǎo)致通道無法導(dǎo)通,器件處于截止?fàn)顟B(tài)。
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