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  • MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-07-12 18:15:59
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    MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹
    場效應(yīng)管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求:
    開關(guān)管開通瞬時(shí),驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。
    開關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。
    關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供AOS場效應(yīng)管MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。 
    驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡單可靠、損耗小。
    根據(jù)情況施加隔離。
    下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的AOS場效應(yīng)管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。
    1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET
    MOS管驅(qū)動(dòng)電路
    圖1 AOS場效應(yīng)管IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET
    電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式,同時(shí)也是最簡單的驅(qū)動(dòng)方式,使用這種驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一,查看一下電源IC手冊(cè),其最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌酒?,?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。第二,了解一下AOS場效應(yīng)管MOSFET的寄生電容,如圖1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流,那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動(dòng)能力不足,上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩,即使把圖 1中Rg減小,也不能解決問題!IC驅(qū)動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關(guān)速度等因素,都影響驅(qū)動(dòng)電阻阻值的選擇,所以Rg并不能無限減小。
    2、電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)
    如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不足時(shí),需要在驅(qū)動(dòng)電路上增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動(dòng)能力,其電路如圖 2虛線框所示。
    MOS管驅(qū)動(dòng)電路
    圖2圖騰柱驅(qū)動(dòng)MOS
    這種驅(qū)動(dòng)電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間,但是減少了關(guān)斷時(shí)間,開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
    3、驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間
    MOS管驅(qū)動(dòng)電路
    圖3加速M(fèi)OS關(guān)斷
    關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管,如圖3所示,其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小,同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過大,把電源IC給燒掉。
    MOS管驅(qū)動(dòng)電路
    圖4改進(jìn)型加速M(fèi)OS關(guān)斷
    在第二點(diǎn)介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當(dāng)電源IC的驅(qū)動(dòng)能力足夠時(shí),對(duì)圖 2中電路改進(jìn)可以加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間,得到如圖 4所示電路。用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻,當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí),柵源極間電容短接,達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完,最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。與圖3拓?fù)湎啾容^,還有一個(gè)好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過電源IC,提高了可靠性。
    4、驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間
    MOS管驅(qū)動(dòng)電路
    圖5隔離驅(qū)動(dòng)
    為了滿足如圖 5所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng),經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng),有時(shí)為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時(shí)也能防止磁芯飽和。
    除了以上驅(qū)動(dòng)電路之外,還有很多其它形式的驅(qū)動(dòng)電路。對(duì)于各種各樣的驅(qū)動(dòng)電路并沒有一種驅(qū)動(dòng)電路是最好的,只有結(jié)合具體應(yīng)用,選擇最合適的驅(qū)動(dòng)。在設(shè)計(jì)電源時(shí),有上述幾個(gè)角度出發(fā)考慮如何設(shè)計(jì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路,如果選用成品電源,不管是模塊電源、普通開關(guān)電源、電源適配器等,這部分的工作一般都由AOS廠家完成。
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