MOS管的閾值電壓
具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
閾值電壓（Gate-source threshold voltage，VGS(th)）是MOSFET的重要參數(shù)之一，因?yàn)樗鼪Q定著器件的性能和應(yīng)用范團(tuán)。閾值電壓Vth定義為可以在源極和漏極之間形成導(dǎo)電溝道的最小柵極偏壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。
VGS(th)開啟電壓（閾值電壓），當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓超過VGS(th)時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)形成了溝道。測試時(shí)，通常一定VDS條件下，漏極電壓ID等于某一值時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓。
mos管的閾值電壓公式
MOSFET的閾值電壓：
對于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），其閾值電壓可以通過以下公式計(jì)算：
Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
其中，Vth為閾值電壓，Vt0為零偏電壓，γ為衰減系數(shù)，φF為內(nèi)建電勢，Vsb為源極與基極之間的電壓。
BJT的閾值電壓： 對于雙極型晶體管（BJT），其閾值電壓可以通過以下公式計(jì)算：
Vth = Vbe_on - (KT/q) * ln(Ic/Is)
其中，Vth為閾值電壓，Vbe_on為基極-發(fā)射極的正向電壓，KT為玻爾茲曼常數(shù)乘以溫度，q為電子電荷，Ic為集電極電流，Is為發(fā)射極飽和電流。
需要注意的是，不同類型的半導(dǎo)體器件和不同的制造工藝可能會(huì)有不同的閾值電壓計(jì)算公式。在實(shí)際應(yīng)用中，需要參考器件的數(shù)據(jù)手冊和相關(guān)文獻(xiàn)，以獲取準(zhǔn)確的閾值電壓計(jì)算方法。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280