驅(qū)動電路中的誤開通
1、米勒效應引起的誤開通
當 MOSFET 關(guān)斷，隨后對管導通時， Vds 電壓（漏極與源極之間所能施加的最大電壓值）快速上升產(chǎn)生高的 dv/dt（開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率），從而在電容 Cgd （米勒電容）中產(chǎn)生位移電流( igd)。
這個位移電流流經(jīng)Rg，M2后就會在Vg上產(chǎn)生一個電壓尖峰（Vspk)。如果這個電壓尖峰超過了MOSFET的開通閾值，MOSFET就會被開通，從而導致電路直通甚至損壞。
2、線路上的寄生電感引起
如圖所示，Ls是MOSFET源極上的寄生電感。當MOSFET快速關(guān)斷時，電流（ids）迅速的減小產(chǎn)生較高的di/dt，從而在Ls的兩端產(chǎn)生一個負的電壓（VLS）。這個VLS電壓如果超過了MOSFET的門極閾值，MOSFET就會被誤開通。
避免驅(qū)動誤開通的方法
1.門極電阻、電容法
調(diào)整門極驅(qū)動電阻和電容
通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大門極驅(qū)動電阻和電容來減慢MOSFET開通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
為了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過調(diào)整門極驅(qū)動的電阻和電容。
2.米勒鉗位法
為了有效的抑制由于米勒效應帶來的門極誤開通，可以在靠近功率管的門極處放一個三極管來防止在關(guān)斷期間的誤開通。
在關(guān)斷期間，由于Vds較高的dv/dt使Vg電壓升高，此時Q1會導通，從而將Vg電壓拉低防止誤開通MOSFET。在實際的應用中要注意PCB布線的影響，Q1要盡量的靠近功率MOSFET以減小Q1、MOSFET門極和源極之間的環(huán)路，從而降低整個環(huán)路路上的阻抗。
3.負壓驅(qū)動法
米勒鉗位電路能夠有效的抑制由于米勒效應引起的門極電壓尖峰，但是對于由于寄生電感引起的誤開通，米勒鉗位電路有時就不是非常的有效，此時給驅(qū)動提供負電壓是一個比較好的解決辦法。
對于驅(qū)動電路中的誤開通，需要根據(jù)實際的情況進行分析并加以解決。
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