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  • MOS管功率損耗要如何測
    • 發(fā)布時間:2021-03-23 13:57:12
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    MOS管功率損耗要如何測
    MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢?
    1.1 功率損耗的原理圖和實測圖
    一般來說,開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”,小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”,而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計。
    MOS管功率損耗
    圖 1開關(guān)管工作的功率損耗原理圖
    實際的測量波形圖一般如圖 2所示。
    MOS管功率損耗
    圖 2開關(guān)管實際功率損耗測試
    1.2 MOSFET和PFC MOSFET的測試區(qū)別
    對于普通MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同,因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于PFC MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形都不相同,因此功率損耗的準確評估依賴較長時間(一般大于10ms),較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲,此時需要的存儲深度推薦在10M以上,并且要求所有原始數(shù)據(jù)(不能抽樣)都要參與功率損耗計算,實測截圖如圖 3所示。
    MOS管功率損耗
    圖 3 PFC MOSFET功率損耗實測截圖
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