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  • 用于熱插拔-軟啟動與電子熔斷器應用的MOSFET
    • 發(fā)布時間:2020-04-29 17:01:34
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    用于熱插拔-軟啟動與電子熔斷器應用的MOSFET
    熱插拔技術是服務器、交換機中的基礎技術,可實現在在線情況下更換故障硬件、添加新設備,極大地方便了服務器系統(tǒng)的維護。目前,服務器中可熱插拔的包括硬盤、CPU、內存、電源、風扇、PCI適配器、網卡等。
    熱插拔技術的原理,在于控制瞬間高電流,將其降低到某一合理水平。實現這一目標的方法很多,最簡單的是通過正溫度系數熱敏電阻(PTC)穩(wěn)定瞬間電流,但是這種方法反應速度慢,長時間使用的話還會影響使用壽命。此外,通過MOS管電流檢測電阻,加上一些簡單的電阻、電容、延遲線路也能實現,而且成本低,適用于低端用途。
    MOSFET
    線性模式MOSFET:PSMN3R7-100BSE
    目前,最好的方法是是采用專門的熱插拔芯片,這些MOSFET針對安全操作區(qū)(SOA)進行了優(yōu)化,導通電阻RDS(on)較低,功耗特別小。例如,Nexperia公司的PSMN3R7-100BSE就是一款非常適用于熱插拔、軟啟動和電子熔斷器應用的線性模式MOSFET。
    PSMN3R7-100BSE是NextPower Live系列的最新產品,其優(yōu)越的安全操作區(qū)(SOA)和較低RDS(on)特性非常適合熱插拔應用。通過有效處理交換服務器主機板或其他插拔式系統(tǒng)中可能出現的高浪涌電流,MOSFET可有效確保順利啟動處理器板。
    MOSFET
    在標準MOSFET技術基礎上,PSMN3R7-100BSE MOSFET的安全操作區(qū)更大,線性性能也提高了4倍,結溫為175攝氏度,最大導通電阻RDS(on)僅為3.95m?(典型值為3.36m?)——比以前的器件內阻約低18%。
    外形上,N溝道PSMN3R7-100BSE MOSFET采用D2PAK封裝,與所有其他制造商的熱交換控制器完全兼容,可為服務器和通信基礎設施公司提高功率水平和能源效率。
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