所有MOS管集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS，互補(bǔ)MOS管-CMOS集成電路)都有一層絕緣
柵極，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻一二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對(duì)器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗(yàn)指出，在高電壓放電時(shí)器件會(huì)失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與電源端VDDGND短路或開(kāi)路，器件完全喪失了原有的功能。稍次一等嚴(yán)重的損害是出現(xiàn)斷續(xù)的失效或者是性能的退化，那就更難察覺(jué)。還有一些靜電損害會(huì)使泄漏電流增加導(dǎo)致器件性能變壞。
由于不可避免的短時(shí)間操作弓起的高靜電電壓放電現(xiàn)像，例如人在打臘地板上走動(dòng)時(shí)會(huì)弓起高達(dá)4KV-15KV的靜電高壓，此高壓與環(huán)境濕度和表面的條件有關(guān)，因而在使用CMOS管、NMOS管器件時(shí)必須遵守下列預(yù)防準(zhǔn)則:
1、不要超過(guò)手冊(cè)上所列出的極限工作條件的限制。
2、器件上所有空閑的輸入端必須接VDD或VSS,并且要接觸良好。
3、所有低阻抗設(shè)備(例如脈沖信號(hào)發(fā)生器等)在接到CMOS或NMOS集成電路輸入端以前必然讓器件先接通電源，同樣設(shè)備與器件斷開(kāi)后器件才能斷開(kāi)電源。
4、包含有CMOS管和NMOS管集成電路的印刷電路板僅僅是一個(gè)器件的延伸，同樣需要遵守操作準(zhǔn)則。從印刷電路板邊緣的接插件直接聯(lián)線(xiàn)到器件也能引起器件損傷，必須避免一般的塑料包裝，印刷電路板接插件上的CMOS管或NMOS管集成電路的地址輸入端或輸出端應(yīng)當(dāng)串聯(lián)一個(gè)電阻，由于這些串聯(lián)電阻和輸入電容的時(shí)間常數(shù)增加了延遲時(shí)間。這個(gè)電阻將會(huì)限制由于印刷電路板移動(dòng)或與易產(chǎn)生靜電的材料接觸所產(chǎn)生的靜電高壓損傷。
5、所有CMOS管和NMOS管集成電路的儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程必須采用抗靜電材料做成的容器，而不能按常規(guī)將器件插入塑料或放在普通塑料的托盤(pán)內(nèi)，直到準(zhǔn)備使用時(shí)才能從抗靜電材料容器中取出來(lái)。
6、所有CMOS管和NMOS管集成電路應(yīng)當(dāng)放置在接地良好的工作臺(tái)上，鑒于工作人員也能對(duì)工作臺(tái)產(chǎn)出靜電放電，所以工作人員在操作器件之前自身必須先接地，為此建議工作人員要用牢固的導(dǎo)電帶將手腕或肘部與工作臺(tái)表面連接良好。
7、尼龍或其它易產(chǎn)生靜電的材料不允許與CMOS管和NMOS管集成電路接觸。
8、在自動(dòng)化操作過(guò)程中，由于器件的運(yùn)動(dòng)，傳送帶的運(yùn)動(dòng)和印刷電路板的運(yùn)動(dòng)可能會(huì)產(chǎn)生很高的靜電壓，因此要在車(chē)間內(nèi)使用電離空氣鼓風(fēng)機(jī)和增濕機(jī)使室內(nèi)相對(duì)濕度在35%以上，凡是能和集成電路接觸的設(shè)備的頂蓋、底部、側(cè)面部分均要采用接地的金屬或其它導(dǎo)電材料。
9、冷凍室要用二氧化碳制冷，并且要放置隔板，而器件必須放在尋電材料的容器內(nèi)。
10、需要扳直外引線(xiàn)和用手工焊接時(shí)，要采用手腕接地的措施，焊料罐也要接地。
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