在實(shí)際應(yīng)用中，起到開(kāi)關(guān)使用的是開(kāi)關(guān)晶體管。控制電路產(chǎn)生一固定頻率的脈沖寬度可調(diào)的方波(PWM)。
當(dāng)S1為低電平時(shí)，VT1截止，變壓器T繞組中的電壓反向，二極管VD2截止，續(xù)流二極管VD1導(dǎo)通，存儲(chǔ)在電感L中的能量繼承傳遞給負(fù)載RL。電感L和電容C同時(shí)還起到濾波的作用，從而使RL上的電壓更加平滑。
高頻開(kāi)關(guān)電源的工作原理是功率變換。
由此可以看出，開(kāi)關(guān)電源主要作用是一種功率轉(zhuǎn)換裝置 。輔助電源將交流電通過(guò)整流濾波后，變成低壓的直流電，并給控制電路供電。二級(jí)管VD1因其在電路中的作用而被稱為續(xù)流二極管。當(dāng)開(kāi)關(guān)S打開(kāi)時(shí)，電感L的磁場(chǎng)極性發(fā)生變化，儲(chǔ)存在L中的能量通過(guò)負(fù)載RL開(kāi)釋，二極管VD1正向?qū)?，?fù)載兩真?zhèn)€電壓極性仍保持不變。在國(guó)際上，高頻開(kāi)關(guān)電源已在直流電源領(lǐng)域，高頻開(kāi)關(guān)電源也異軍突起，以優(yōu)異的機(jī)能。
當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí)，電流流過(guò)電感L，在負(fù)載RL兩端產(chǎn)生輸出電壓。
VT1是一開(kāi)關(guān)晶體管，其基極用一方波S1控制。電流流過(guò)正向偏置的二級(jí)管VD2和電感L，能量傳遞給負(fù)載RL，同時(shí)電感L中儲(chǔ)存了能力。同時(shí)在圖—1的電路中，輸入和輸出回路之間缺少安全
隔離措施，因而一般采用高頻變壓器作為隔離器件 ?！ ‰娋W(wǎng)供電經(jīng)EMI濾波后。
顯然，輸出電壓VRL=V2×Ton/T＝V2×X 其中X＝Ton/T為占空比；Ton為VT1的導(dǎo)通時(shí)間，改變脈沖占空比δ，即可改變輸出電壓(或電流)。
以上簡(jiǎn)樸先容了高頻開(kāi)關(guān)電源的工作原理、它是集功率轉(zhuǎn)移技術(shù)與脈寬調(diào)制技術(shù)于“—體的高技術(shù)產(chǎn)物，是當(dāng)代電力電子學(xué)理論發(fā)展的最新體現(xiàn)。
當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí)，輸入回路有電流輸入，而當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)，則電流溘然終止。此時(shí)二極管VD1處于反向偏置。功率MOS管V1和V2作為開(kāi)關(guān)元件。 S1為高電平時(shí)，VT1導(dǎo)通，在變壓器T的低級(jí)產(chǎn)生電源，并儲(chǔ)存了能量。但因?yàn)殡姼蠰和續(xù)流二級(jí)管VD1的作用，輸出電流是連續(xù)的。再經(jīng)硅橋整流和濾波電路濾波，成為直流電。這里，濾波電路只用一個(gè)電路C1代表。因?yàn)樽儔浩鞯拇渭?jí)與低級(jí)同相，所有數(shù)目也傳遞到了變壓器次級(jí)。因?yàn)檩斎腚妷旱臉O性關(guān)系，二級(jí)管VD1處于反向配置，此時(shí)L儲(chǔ)存能量。
跟著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，單機(jī)大的功率高頻開(kāi)關(guān)電源一定會(huì)在不遠(yuǎn)的將來(lái)進(jìn)入市場(chǎng)，走近我們。 但這并不意味著高頻開(kāi)關(guān)電源沒(méi)有進(jìn)入大功率范圍的可能，相反，這很可能是它的發(fā)展方向。大功率方面，高頻開(kāi)關(guān)電源還受到一定的限制。固然高頻開(kāi)關(guān)電源單機(jī)容量目前還受到器件、材料的限制，但是，跟著電源并聯(lián)技術(shù)的進(jìn)步，電子器件的發(fā)展，多組并聯(lián)的大功率高頻開(kāi)關(guān)電源已不是夢(mèng)想。高頻開(kāi)關(guān)電源作為新一代產(chǎn)品，已經(jīng)在中小功率方面形成規(guī)模產(chǎn)品，其市場(chǎng)籠蓋率日益擴(kuò)大。
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