半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)，包括這兩種型號(hào)在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面 的特點(diǎn)，把晶體二極管分類(lèi)如下：
1、鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開(kāi)關(guān)用，有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時(shí)被稱(chēng)金鍵型，熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱(chēng)為銀鍵型。
2、點(diǎn)接觸型二極管
點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單，所以?xún)r(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用范圍較廣的類(lèi)型。
3、擴(kuò)散型二極管
在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴(kuò)散型。
4、合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上，通過(guò)合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時(shí)靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。
5、臺(tái)面型兩極管
PN結(jié)的制造辦法固然與分散型相同，然而，只保存PN結(jié)及其多余的全體，把無(wú)須要的全體用藥品侵蝕掉。其剩余的全體便出現(xiàn)出面面形，因此得名。年初消費(fèi)的臺(tái)面型，是對(duì)于半超導(dǎo)體資料運(yùn)用分散法而制成的。因而，又把這種臺(tái)面型稱(chēng)為分散臺(tái)面型。關(guān)于這一類(lèi)型來(lái)說(shuō)，似乎大電流電整組用的貨物型號(hào)很少，而小直流開(kāi)關(guān)用的產(chǎn)品型號(hào)卻很多。
6、合金分散型二極管
它是合金型的一種。合金資料是簡(jiǎn)單被分散的資料。把難以制造的資料經(jīng)過(guò)拙劣地?fù)脚潆s質(zhì)，就能與合金一同過(guò)擴(kuò)散，再不正在曾經(jīng)構(gòu)成的PN結(jié)中失掉雜質(zhì)的適當(dāng)?shù)纳顪\散布。本法適用于打造高銳敏度的變?nèi)荻O管。
7、內(nèi)涵型二極管
用內(nèi)涵面長(zhǎng)的進(jìn)程打造PN結(jié)而構(gòu)成的二極管。打造時(shí)非常高超的技能。因能隨意地掌握雜質(zhì)的不同分布，故適宜于打造高銳敏度的變?nèi)荻O管。
8、平面型二極管
在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類(lèi)型。最初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱(chēng)為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。
9、肖特基二極管
根本原理是：在金屬（例如鉛）和半超導(dǎo)體（N型硅鋼片）的平行面上，用已構(gòu)成的肖特基來(lái)阻撓反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整組作用原理有基本性的差別。其耐壓水平只要40V內(nèi)外。其專(zhuān)長(zhǎng)是：開(kāi)關(guān)進(jìn)度無(wú)比快：反向復(fù)時(shí)間trr特別地短。因而，能制造電門(mén)二極和高壓大直流電整組兩極管。
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